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高频开关电源
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高频开关电源
产品描述:
  高频电源节电原理  我公司生产的高频电源主变压器磁芯采用的是一种超微晶材料(即纳米晶软磁)制作的磁芯,直流铜损和寄生铜损是传统硅钢片变压器的1/12和1/20,主变压器采用纳米晶磁芯有效的降低硅钢...
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详细说明:

  高频电源节电原理

  我公司生产的高频电源主变压器磁芯采用的是一种超微晶材料(即纳米晶软磁)制作的磁芯,直流铜损和寄生铜损是传统硅钢片变压器的1/12和1/20,主变压器采用纳米晶磁芯有效的降低硅钢片涡流产生损耗,使变压器的有效功率由传统的60%提高到90%以上,而老式硅机变压器大多采用硅钢片作磁能转换,会产生很大的涡流使机器的空耗增大。

  高频电源的转变频率是15KHZ以上,有效功率可达到90%以上,而传统的老式氧化电源硅机工作频率是50HZ,有效功率是65%左右。经过多个厂家实验证明高频电源相比较于可控硅老式电源平均节电效果达到15%以上。

  高频电源原理图

  输出波形

  高频开关电源与可控硅电源节电优势比较

  说到节能,肯定是要从高频开关电源和可控硅整流器的能耗和两个方面进行比较,如果高频开关电源和可控硅电源在相同的输入情况下,两电源的输出功率与两电源的功率因数与效率有关。

  可控硅整流器的功率因数与可控硅的开放角有关,一般情况下为0.70-0.80之间,而高频开关电源的功率因数一般在0.90-.95之间,另外在整流过程中有以下几个方面:

  1.由交流电转换成直流电过程中的损耗与整流方式有关

  2.铜损

  3.铁损

  我们可以看出,三相桥式整流,转换损耗比较小,而可控硅电镀整流器往往是以六相双反星形整流为主要手段,而高频开关电源是以三相桥式整流为主要手段,因此高频开关电源从整流开式上就比可控硅整流器节能。

  所谓铜损即是电流流经变压器的损耗。所谓铁损即是涡流在变压器铁芯中的损耗。而可控硅整流器是以庞大、笨重的工频变压器为基础,因此铜损、铁损都很大,而高频开关电源中的高频变压器的用铜量只是同规格可控硅整流变压器的30%,因此铜损很少,又因高频变压器在高达10KHZ-50KHZ的高频下工作,因此,不采用矽钢片而是采用软铁体磁芯,在磁芯中几乎没有涡流损耗。

  从上述的分析中我们可以清晰地看到在节能方面高频开关电源明显优于可控硅整流器。

比较参数

可控硅整流器

高频开关电源

变压器

有工频变压器,体积特别大

无工频变压器 有高频变压器

受控器件

可控SCR

IGBT

工作频率

50HZ

20KHZ

控制方式

移相触发

PWM调制

输出滤波

有,而且效果明显

输出直流

半波

高密度直流方波

冷却方式

风冷、水冷、油冷

风冷、水冷、油冷

效率

70%左右

90%

功率因数

0-0.9可变

全范围可达0.9以上

控制电路

复杂,有同步要求,不易集成

简单采用专用集成电路板并做过防腐处理,完全密封

输出电压允许波动范围

±10%

±15%

对电网干扰

大,不易消除

很小,易消除

调节影响速度

一般

极快

节能效率

节能明显

  风冷式高频电源与水冷式高频电源优劣比较

  1.风冷式电源整机的冷却方式为风冷,机箱内置风机用于冷却整机在运行过程中产生的热量,无需外部增加其它辅助设施,使操作简便易行。

  2.水冷式电源则需要配备水源来冷却。

  ①使用纯净水冷却,在夏季因纯净水水温与室温相近,循环水温会逐渐升高而机器会出现过热现象停止工作。

  ②采用地下水冷却机器,**、使用地下水易结垢,机器需要定时除垢给操作带来不便;第二、在夏季由于与室温温差较大,在机器表面易结水露给机器内部元器件带来损坏。

  ③夏季氧化槽槽温升高,需要大量冰机用水以确保槽温恒定保证氧化效果,若使用冰机冷却循环水会额外增加冰机工作负担会降低氧化效果。

  风冷式电源在考虑环境温度**高限度下,已经完全能够保证机器的散热正常,使操作与安装更加简便易行。使用水冷电源需要条件辅助设备:

  A.使用水冷电源需要额外配备一台循环泵

  B.使用水冷电源需要增加纯水池,需方增加制造纯水费用

  C.到夏季温度较高的季节,设备需使用冰机冷却。

  3.我公司专注于研发风冷式高频氧化电源,此外采用风冷式组装整机也是保证机器性能更加稳定的前提,机器内部构造为多组并联使用,每单组又能单独使用,采用风冷式的组装可以有效的缩短机器故障原因排除的时间。

  高频开关同步整流电源

  同步整流高频开关电源,节能环保省电,该电源采用全铜变压器,同步电子管整流,传感器取样,发热量比普通电源产品低30%,比其它高频电源节电15%,上低温升,使用寿命长。适用领域:电解冶炼、气体加热电解、电解水处理、铜箔电解、电化学电解等环保电解工艺。

  输出整流部分主要元器件采用IR公司的MOS管(型号IRF7530-7P,其VDSS电压60V,导通电阻典型值1.15mΩ,**大1.4mΩ,**大电流是338A,封装限制电流240A);控制芯片采用IR公司的智能同步整流专用控制芯片IRF1167BS,并根据本公司**变压器结构做成了专用的输出整流模块模组,使得整机结构简单,安装方便,效率比普通高频开关电源更高,更适用于超低工作电压的工艺情况。

  


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